本文从喇曼光谱原理、实验方法和实验手段上阐述显微喇曼在测试SOI材料局部应力中的应用，详细综述了显微喇曼光谱对各种不同SOI材料的喇曼分析。通常来说，局部内应力会引起喇曼峰的宽化以及峰位的移动，压应力会使喇曼峰向高频方向移动，而张应力却是向低频方向移动。详细分析喇曼峰的移动情况可以分析材料内部的应力分布情况。由于显微喇曼能提供小于1μm空间分辨率，同时分析时无需对材料进行破坏，因而是一种实用性很强的分析手段。