TN304.26 TN215
1 引言 近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高。要实现载流子在较大范围内的浓度控制以
徐非凡. MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究[J].红外,2003,(5):1-.
