近红外GaAs上变频器

据《laser focus world》杂志报道，硅CCD摄像机通常对波长在1.2μm～1.6μm区域的红外辐射不敏感而敏感于波长在1μm以下的红外辐射，要想用这种摄像机对波长在1.2μm～1.6μm范围内的红外辐射进行成像，就得用上变频器的方法使光的波长短于1μm。上变频可以通过把光探测器和发射波长更短的发光二极管(LED)相结合来实现；随后，该元件阵列就产生一个能够被硅CCD摄像机所捕捉的图像。然而，这些上变频元件并不是那么高效，也难以制作。现在，上海交通大学、加拿大国家研究委员会和新加坡南洋理工大学的研究人员，已经开发出一种基于砷化镓(GaAs)的近红外上变频器，其价格便宜、效率高并可直接使用。

设计中，他们是将定制的GaNAsSb/GaAs光探测器和基于GaAs的LED串联配置起来。然后在室温试验里，他们用发射波长为1.3μm的发光二极管照射上变频器；当入射光强度为12mW/cm2以及上变频器的发射波长为0.9μm时，上变频效率达到0.048W/W (当入射光强度为335mW/cm2时，上变频效率则降至0.011W/W；然而，该强度比实际应用中的期望值要高很多。)。通过使用谐振腔或定制的LED，上变频效率可以得到进一步的提高。

□ 岳桢干