| SIMS测试中的一次离子束研究 |
| 投稿时间：2020-08-30 修订日期：2020-09-28 点此下载全文 |
| 引用本文：李乾,师景霞,王丛,申晨,折伟林.SIMS测试中的一次离子束研究[J].红外,2021,42(1):16~20 |
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| 中文摘要:介绍了二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现，离子源的选择由分析元素决定，一次束能量决定深度分辨率，入射角度影响溅射产额，一次离子束的束流密度影响溅射速率。因此，在SIMS测试中，需要根据分析目的调节相应参数，以获得较好的分辨率。 |
| 中文关键词:二次离子质谱仪 一次离子束；刻蚀速率 |
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| Research on Primary Ion Beam in SIMS Test |
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| Abstract:The influence of the parameters of the primary ion beam on the SIMS test is introduced. It is found that the choice of ion source is determined by the analysis element, the primary beam energy determines the depth resolution, the incident angle affects the sputtering yield, and the primary ion beam current density affects the sputtering rate. Therefore, in the SIMS test, the corresponding parameters need to be adjusted according to the different analysis purposes to obtain better resolution. |
| keywords:secondary ion mass spectrometry primary ion beam sputtering rate |
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