首页 | 杂志简介 | 征稿简则 | 投稿指南 | 常见问题 | 名词解释 | 刊物订阅 | 联系我们 | English
分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状
投稿时间:2019-07-12  修订日期:2019-07-27  点此下载全文
引用本文:高达,王经纬,王丛,李震,吴亮亮,刘铭.分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状[J].红外,2019,40(8):15~18
摘要点击次数: 28
全文下载次数: 36
作者单位E-mail
高达 华北光电技术研究所 330589421@qq.com 
王经纬 华北光电技术研究所  
王丛 华北光电技术研究所  
李震 华北光电技术研究所  
吴亮亮 华北光电技术研究所  
刘铭 华北光电技术研究所  
中文摘要:目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。
中文关键词:硅基碲镉汞  分子束外延  材料性能
 
Research Status of Si-based HgCdTe Material Technology Grown by Molecular Beam Epitaxy
Abstract:At present, high-performance mid-wave and short-wave infrared detectors with large array size have been used more and more widely. Mercury cadmium telluride(HgCdTe)material with precise control of material parameters and good material quality is a prerequisite for obtaining high-quality HgCdTe detectors. The latest research progress of silicon-based mid-wave and short-wave infrared HgCdTe materials grown by molecular beam epitaxy (MBE) in North China Research Institute of Electro-Optics is reported, and the current research status of MBE-grown HgCdTe materials is introduced.
keywords:Si-based HgCdTe  MBE  material property
查看全文  HTML  查看/发表评论  下载PDF阅读器

版权所有:《红外》编辑部

北京勤云科技发展有限公司