分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状
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TN213

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Research Status of Si-based HgCdTe Material Technology Grown by Molecular Beam Epitaxy
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    摘要:

    目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。

    Abstract:

    At present, high-performance mid-wave and short-wave infrared detectors with large array size have been used more and more widely. Mercury cadmium telluride(HgCdTe)material with precise control of material parameters and good material quality is a prerequisite for obtaining high-quality HgCdTe detectors. The latest research progress of silicon-based mid-wave and short-wave infrared HgCdTe materials grown by molecular beam epitaxy (MBE) in North China Research Institute of Electro-Optics is reported, and the current research status of MBE-grown HgCdTe materials is introduced.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

高达,王经纬,王丛,等.分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状[J].红外,2019,40(8):15-18.

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