摘要:为指导某600 mm口径的双曲面反射镜的加工，设计了Ronchi光栅检测系统。针对系统检测过程中存在的杂光现象，分析产生该现象的原因，并提出相应的解决方案。结果表明，在光线两次经过光栅的光路结构中，分光棱镜的剩余反射率大于5%时，像面处暗条纹的照度增大27倍，条纹明暗对比度下降，难以分辨；随着光栅剩余反射增加，条纹中心产生亮斑现象，条纹无法分辨。条纹面正对分光镜的亮斑区域的背景照度增加40多倍，玻璃面正对分光镜的亮斑区域的背景照度增加80多倍。通过优化系统结构，对分光镜与光栅进行替换与表面处理，有效解决了杂光问题，提高了像面条纹对比度。

摘要:对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试，开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式。热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm^-1和178.5 cm^-1；纵向光学(Longitudinal Optical, LO)声子散射峰分别位于188.8 cm^-1和188.7 cm^-1；特征峰的半峰宽分别为5.8 cm^-1和5.0 cm^-1。X射线双晶衍射曲线半峰宽值分别为12.10~20.04 arcsec和7.61~7.74 arcsec。用经热处理后的晶片制得的器件在80℃烘烤20天后，盲元增加量较小，整体数量较少。这表明热处理释放了晶片的残余应力，对后期抑制器件新增盲元存在有利影响，为新一代超高性能、超大面阵红外探测器的制备奠定了材料基础。

摘要:作为碲锌镉衬底表面加工的重要工序，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）的加工效果决定了碲锌镉衬底的表面质量和生产效率。抛光液是CMP的关键影响因素之一，直接影响衬底抛光后的表面质量。对碲锌镉衬底CMP工艺使用的抛光液进行了研究，探究了以二氧化硅溶胶和过氧化氢为主体的抛光液体系在不同pH值、不同磨料浓度下对衬底抛光表面质量和去除速率的影响。结果表明，使用改进后的抛光液体系对碲锌镉衬底进行CMP，能够在获得超光滑表面的同时实现高效率加工，为批量化制备高表面质量的碲锌镉衬底奠定了良好基础。

摘要:中红外(Mid-infrared, MIR)量子级联激光器(Quantum Cascade Laser, QCL）已被广泛应用于定向红外对抗、自由空间光通信、痕量气体传感等重要领域。利用Nextnano++软件进一步完善了自洽计算基于MIR QCL器件的薛定谔方程和泊松方程的理论方法。针对InP衬底上生长的GaInAs/AlInAs多量子阱MIR QCL器件，研究了四能级双声子共振QCL结构中有源区的电子子带能级结构，并对这些子带能级随器件工作温度、驱动电场、注入区掺杂浓度等变化的规律进行了系统研究，获得了与实验结果一致的理论结果。此工作为MIR QCL器件的生长和制备提供了理论设计和研究方法，为了解器件工作条件提供了理论预期，也为进一步提高MIR QCL的发光功率和效率提供了理论研究支撑。

摘要:太赫兹（Terahertz, THz）波在无线通信、生物医学、无损检测、军用雷达等领域具有潜在的应用前景。研究THz慢光效应对THz通信和检测技术具有非常重要的实际意义。目前已报道的THz慢光效应研究还面临一系列问题。由于具有结构设计灵活和电磁特性可设计的特点，电磁诱导透明（Electromagnetically Induced Transparency，EIT）超材料为THz慢光效应提供了崭新的研究平台。介绍了基于EIT超材料的THz慢光效应的基本原理以及近年来的研究进展，并对THz慢光效应的发展趋势进行了分析和展望。

摘要:为了给太赫兹源、太赫兹探测器等太赫兹仪器的研制和生产提供测试保障，研制了一种基于锁相放大原理的太赫兹功率测试仪器。目前，许多商用锁相放大器价格高、体积大且结构和功能比较复杂，不适合一些便携式检测系统。该仪器主要采用基于AD630的锁相放大方案来实现对微弱信号的检测。这种锁相放大器成本低、设计结构简单、灵活性强且集成度高。当标准太赫兹功率计测试到的太赫兹功率为96.8 mW和2.98 μW时，采用本文方案研制的太赫兹功率测试仪器测试到的功率分别为97.9 mW和3 μW，误差范围在±5% 以内。基于CD552-R3弱信号锁相放大方案只能提取到毫伏级信号，而本文方案则可提取到微伏级信号。因此，采用本文方案探测太赫兹功率时，量程更宽且稳定性更高。

摘要:为实现对军用激光测距机雪崩二极管的有效防护，通过实验的方法测试了VO₂薄膜在1064 nm激光辐照下的基本性质，得出了其相变前后透过率与膜厚的关系以及不同厚度VO₂薄膜对C30950E雪崩二极管最低饱和入射激光阈值的影响，并给出了拟合公式。实验结果表明,随着膜厚的增加,雪崩二极管的最低饱和入射激光阈值逐渐提高;膜厚为200 nm的VO₂薄膜可将雪崩二极管的最低饱和入射激光阈值由5×10^-6 W提高到 1.2×10^-5 W。由于目前国内针对军用激光测距机雪崩二极管激光防护开展的研究还较少，且大多局限在理论层面、缺乏实验数据支撑，因此本文提供的数据和拟合公式不仅可以进一步验证将VO₂薄膜用于军用激光测距机雪崩二极管防护的可行性，而且为进一步开展各型激光测距装备雪崩二极管防护研究提供了数据参考。