摘要:本文介绍用ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）制备的先进的扫描型长波红外（ＬＷＩＲ）焦平面列阵（ＦＰＡ）。该列阵包含一个与ＳｉＣＭＯＳ读出积分电路匹配的，由正面照射的平面型Ｐ型上为ｎ型的同质结二极管组成的列阵，在６５Ｋ下该列阵所测得的平均光谱截止波长为１０．８μｍ，平均量子效率为８７％，在６５和７８Ｋ温度下和无背景辐射条件下，焦平面列阵的峰值Ｄ分别超过９．３×１０＾１１和２．６×１０＾１１ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ

摘要:在生长用于焦平面阵列的高质量（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ薄膜方面，液相外延（ＬＰＥ）是优选用的技术，在生产环境中成功执行这一流程需要研究先进的传感器和流程控制技术，这样可以提高产量，降低成本，本文将评论得克萨斯仪器公司的智能处理焦平面列阵计划所取得的进展，（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延薄膜是在（１１１）Ｂ取向的（Ｃｄ，Ｚｎ）Ｔｅ衬底上生长的，衬底放在盛有大量（４５００ｇ）碲镉汞溶液的垂直浸渍反应器中，在一个生长

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摘要:从理论上ｎ＾＋在ｐ上和ｐ在ｎ上的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机现控制的热发生的结果，对于工作于７７Ｋ，采用０．１ｅＶ基材料的两种类型的ＨｇＣｄＴｅ光电二极管，均考虑了结位置对Ｒ０Ａ积，光电增益以及噪声的影响。尤其是，详细分析了两种结构的作为截止波长的温度的函数的Ｒ０Ａ积。就假定的同质结基区掺杂浓度而言（对于ｎ＾＋在ｐ上的结构，Ｎａ＝５×１０＾１５ｃｍ

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