本文提出了用单片生长的基于Ⅲ-Ⅴ族材料的薄膜固态制冷器对光电子元部件进行了主动制冷的方法，并对该方法进行了研究试验，与体材料的热电效相比，制冷功率得到了增强，而这些都是通过一种异质结构势垒层上的热电子的热离子发射实现的，这些异质结构可以单片方式与用类似材料制作的其它器件集成在一起，与一个异质结构热离子制冷器单片集成的InPpin二级管进行了实验分析，并对各种器件尺寸和环境温度条件制冷性能进行了研究试验，确定了几种主要的非理想效应，如接触电阻，引线接合点中的热产生 与传导以及衬底的有限热阻，用实验和分析两种