InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In,As)P metamorphic buffers
投稿时间:2021-01-20  修订日期:2021-07-07  download
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黄卫国 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050
中国科学院大学北京 100049 
100049
顾溢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083
中国科学院大学北京 100049 
100049
金宇航 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083 
刘博文 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083 
龚谦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050 
黄华 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050 
王庶民 查尔姆斯理工大学 微技术与纳米科学系哥德堡 SE-41296 
马英杰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083 
张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室上海 200050
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室上海 200083
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室上海 200083 
Abstract:InAs/In0.83Al0.17As quantum wells have been demonstrated on In0.83Al0.17As metamorphic layers on GaP/Si substrates. The effects of GaxIn1-xP and GaAsyP1-y graded buffer layers on the sample performances are investigated. The sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer layer has narrower width in X-ray diffraction reciprocal space maps, indicating less misfit dislocations in the sample. Mid-infrared photoluminescence signals have been observed for both samples at room temperature, while the sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer shows stronger photoluminescence intensity at all temperatures. The results indicate the metamorphic buffers with mixed cations show superior effects for the mid-infrared InAs quantum wells on GaP/Si composite substrates.
keywords:quantum wells  GaP/Si  metamorphic buffer  mid-infrared
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《Journal of Infrared And Millimeter Waves》