High power single and power-combined 100~115GHz Schottky balanced doublers
投稿时间:2020-02-27  修订日期:2021-01-11  download
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田遥岭 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
272036657@qq.com 
黄昆 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
 
岑冀娜 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
 
唐川云 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200  
林长星 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心四川 成都 610200
中国工程物理研究院 电子工程研究所四川 绵阳 621900 
linchangxing@mtrc.ac.cn 
张健 电子科技大学 电子科学与工程学院四川 成都 611731 jianzhang@uestc.edu.cn 
Abstract:The research on high power 110GHz single and power-combined frequency doublers based on discrete diodes is presented in this paper. The doubler with a single Schottky diode circuit has a measured peak efficiency of 33% and bandwidth over 13.6%. Meanwhile, two different architectures with two single devices adding in-phase have been utilized to realize the power-combined doublers. The combined doubler features four discrete Schottky diodes with twelve junctions altogether soldered on two 127μm-thick ALN substrates. Both devices have demonstrated output powers more than 200mW with a pumping power over 800mW and are capable of providing more power for higher driven power.
keywords:110GHz  balanced doubler  Schottky  power-combinedPACS: 85.30.Hi  85.30. Kk  84.30.Vn  07.57.Hm
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