A 3.0 THz detector in 65 nm standard CMOS process
投稿时间:2019-05-08  修订日期:2019-12-17  download
Citation:
摘要点击次数: 241
全文下载次数: 30
作者单位E-mail
方桐 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
15501266520@163.com 
刘力源 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
liuly@semi.ac.cn 
刘朝阳 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
冯鹏 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
李媛媛 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
刘俊岐 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
刘剑 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
吴南健 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083
中国科学院大学 材料与光电研究中心北京
100049 
 
Abstract:A 3.0 THz detector based on plasma-wave theory proposed by Dyakonov and Shur was designed and fabricated in 65 nm standard CMOS process, the detector consists of a patch antenna, a NMOS field effect transistor, a matching network, and a notch filter, it can achieve a room-temperature responsivity (Rv) of 526 V/W and a noise equivalent power (NEP) of 73 pW/Hz1/2. The terahertz scanning imaging system was built with the detector and stepper motor, and the far-field shape of the terahertz source beam was obtained, the full width at half maximum (FWHM) of the beam is 240 μm; and the image of the polyformaldehyde toothpick and tree leaf were obtained through the scanning imaging system, it shows that CMOS terahertz detectors have potential applications in the imaging field.
keywords:CMOS  THz  terahertz imaging  terahertz detector
  HTML  查看/发表评论  下载PDF阅读器

Copyright:《Journal of Infrared And Millimeter Waves》