采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
投稿时间:2021-01-20  修订日期:2021-02-24  点此下载全文
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黄卫国 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 200050
顾溢 中国科学院上海技术物理研究所 20050
金宇航 中国科学院上海技术物理研究所 
刘博文 中国科学院上海技术物理研究所 
龚谦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 
黄华 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 
王庶民 查尔姆斯理工大学 
马英杰 中国科学院上海技术物理研究所 
张永刚 中国科学院上海技术物理研究所 
基金项目:国家自然科学基金项目
中文摘要:本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长。研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs 量子阱结构具有相对更优的效果。
中文关键词:量子阱  GaP/Si  异变缓冲层  中红外
 
InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In,As)P metamorphic buffers
Abstract:InAs/In0.83Al0.17As quantum wells have been demonstrated on In0.83Al0.17As metamorphic layers on GaP/Si substrates. The effects of GaxIn1-xP and GaAsyP1-y graded buffer layers on the sample performances are investigated. The sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer layer has narrower width in X-ray diffraction reciprocal space maps, indicating less misfit dislocations in the sample. Mid-infrared photoluminescence signals have been observed for both samples at room temperature, while the sample with GaxIn1-xP metamorphic buffer shows stronger photoluminescence intensity at all temperatures. The results indicate the metamorphic buffers with mixed cations show superior effects for the mid-infrared InAs quantum wells on GaP/Si composite substrates.
keywords:quantum wells, GaP/Si, metamorphic buffer, mid-infrared
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