中波PIN结构碲镉汞雪崩器件变温特性的数值模拟研究
投稿时间:2020-11-04  修订日期:2020-12-14  点此下载全文
引用本文:
摘要点击次数: 154
全文下载次数: 0
作者单位E-mail
沈川 中国科学院上海技术物理研究所 shenchuan@mail.sitp.ac.cn 
杨辽 中国科学院上海技术物理研究所  
郭慧君 中国科学院上海技术物理研究所  
杨丹 中国科学院上海技术物理研究所  
陈路 中国科学院上海技术物理研究所 chenlu@mail.sitp.ac.cn 
何力 中国科学院上海技术物理研究所  
中文摘要:本文采用2维数值模拟对HgCdTe APD结构进行相应模拟,通过与实验结果的对比获得80K下APD器件的结构参数。同时,针对不同工作温度下的APD器件的暗电流机制的变化影响进行研究。对在高工作温度情况下各层参数的变化引起器件性能的变化进行了研究,对不同层厚度、掺杂浓度对器件性能的影响进行了相应理论计算,并对计算结果进行相应的对比研究,获得了理论上最优化的HgCdTe APD高温器件结构,为后续高工作温度的APD器件的研发提供重要参考。
中文关键词:HgCdTe、雪崩结构、数值模拟、高工作温度
 
Numerical Simulation of High-operating-temperature MWIR HgCdTe APD Detectors
Abstract:In this paper, 2-D numerical simulation was used to simulate the structure of HgCdTe APD, and the structural parameters of APD devices at 80K were obtained by comparing with the experimental results. At the same time, the influence of dark current mechanism on APD devices at different operating temperatures was studied. The performance of APD devices with the change of each parameter under the condition of high operating temperature was studied. We proposed the optimal HgCdTe APD structure for achieving high performance at 150K. The structure provides an important reference for the subsequent development of APD devices with high operating temperature.
keywords:HgCdTe, APD, Numerical  simulation, HOT
  HTML  查看/发表评论  下载PDF阅读器

版权所有:《红外与毫米波学报》编辑部