带间级联激光器性能对结构变化的耐受性研究
投稿时间:2020-03-02  修订日期:2020-03-02  点此下载全文
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林羽喆 中国科学院半导体研究所 固态光电信息实验室 yuzhe.lin@ou.edu 
Jeremy A. Massengale 俄克拉荷马大学 电子与计算机工程系,美国 诺曼  
黄文祥 俄克拉荷马大学 电子与计算机工程系,美国 诺曼  
杨瑞青 俄克拉荷马大学 电子与计算机工程系,美国 诺曼 Rui.q.Yang@ou.edu 
Tetsuya D. Mishima 俄克拉荷马大学 物理与天文学系,美国 诺曼  
Michael B. Santos 俄克拉荷马大学 物理与天文学系,美国 诺曼  
中文摘要:通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器(ICL)的研究,探讨了器件性能在结构变化下的耐受性。在300K时,即使和4.6μm的设计波长相比蓝移700nm以上,激光器仍然性能良好,其阈值电流密度低至320A/cm2。此研究为带间级联激光器在结构变化方面的耐受性提供了坚实的实验依据。
中文关键词:III-V族半导体  带间级联激光器  中红外  量子阱  II类异质结
 
Examination of the Durability of Interband Cascade Lasers Against Structural Variations
Abstract:By studying two interband cascade laser (ICL) wafers with structural parameters that deviated considerably from the design, the durability of the device performance against structural variations was explored. Even with the lasing wavelength blue shifted by more than 700 nm from the designed value near 4.6 μm at 300 K, the ICLs still performed very well with a threshold current density as low as 320 A/cm2 at 300 K, providing solid experimental evidence of the tolerance of ICL performance on structural variations.
keywords:III-V  semiconductors, interband  cascade lasers, mid-infrared, quantum  wells, type-II  heterostructures
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