利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器
投稿时间:2020-02-15  修订日期:2020-03-30  点此下载全文
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袁野 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 626054165@qq.com 
苏向斌 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
杨成奥 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
张一 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
尚金铭 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
谢圣文 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
张宇 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 zhangyu@semi.ac.cn 
倪海桥 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
徐应强 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室  
牛智川 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 zcniu@semi.ac.cn 
基金项目:国家自然科学基金项目(重大项目), 国家重点研发计划,中国科学院科研仪器设备研制项目,广东省重点研发计划,
中文摘要:通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器。为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520°C,并且在有源区中引入Be掺杂。制备了脊宽100μm,腔长2mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008W的室温连续工作,阈值电流密度为110A/cm-2,在80°C下仍然可以实现连续工作,在50°C以下范围内,特征温度达到405K。
中文关键词:量子点激光器  分子束外延  特征温度  中红外
 
Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers
Abstract:GaAs-based 1.3μm InAs quantum dot laser have been grown by MBE system. Under the optimized InAs quantum dots growth temperature of 520°C, and the methods of Be-doping in the active region are adopted for better device performance. With a ridge width of 100μm and cavity length of 2mm, the maximum output power of single facet without coating has reached up to 1008mW under continuous wave (CW) operation at room temperature, and the threshold current density is 110 A/ cm2. The QD lasers can still operate at continuous waves (CW) up to 80°C, and the characteristic temperature below 50°C is as high as 405K.
keywords:quantum dot laser  molecular beam epitaxy  characteristics temperature  mid-infrared
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