室温半导体红外光电探测器研究进展
投稿时间:2019-12-31  修订日期:2019-12-31  点此下载全文
引用本文:
摘要点击次数: 121
全文下载次数: 0
作者单位E-mail
谢天 上海理工大学 xiet0106@foxmail.com 
叶新辉 上海理工大学  
夏辉 中国科学院上海技术物理研究所  
李菊柱 上海师范大学  
张帅君 上海理工大学  
姜新洋 上海科技大学  
邓伟杰 上海科技大学  
王文静 上海师范大学  
李玉莹 中国科学院上海技术物理研究所  
刘伟伟 中国科学院上海技术物理研究所  
李翔 上海理工大学 xiangli@usst.edu.cn 
李天信 中国科学院上海技术物理研究所 txli@mail.sitp.ac.cn 
基金项目:国家自然科学基金(11574336, 11991063);上海市自然科学基金(19ZR1465700)
中文摘要:室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,本文系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制。其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势。这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测。
中文关键词:室温红外光电探测,暗电流机制,带间级联,碲镉汞,亚波长光子结构
 
Research progress of room temperature semiconductor infrared photodetectors
Abstract:Room temperature operation of infrared photon detectors will open up a wider range of applications. This article summarizes the room temperature performance and dark current mechanism of semiconductor devices from near infrared to long wavelength infrared. Different methods to suppress dark current including the design of the interband cascade structure of InAs/GaSb type Ⅱ superlattices and the nonequilibrium operation mode of HgCdTe to suppress the Auger process show unique advangtages. These electronic structural designs, combined with the latest progress in subwavelength photonic structures to enhance light coupling and reduce dark current, hold the promise to achieve a high performance infrared imaging chip operating at room temperature in the near future.
keywords:room temperature infrared detection, dark current mechanism, interband cascade, HgCdTe, subwavelength photon structure
  HTML  查看/发表评论  下载PDF阅读器

版权所有:《红外与毫米波学报》编辑部