基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器
投稿时间:2019-12-07  修订日期:2020-08-17  点此下载全文
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杨益林 电子科技大学 电子科学与工程学院 yangyilin_uestc@sina.com 
张波 电子科技大学 电子科学与工程学院 zhangbouestc@yeah.net 
纪东峰 电子科技大学 电子科学与工程学院 jidongfenguestc@163.com 
王依伟 电子科技大学 电子科学与工程学院  
赵向阳 中国电子科技集团第十三研究所 集成电路国家重点实验室  
樊勇 电子科技大学 电子科学与工程学院  
中文摘要:介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在 7 mW 的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在 340 - 490 GHz的宽带内,变频损耗在 14.2 - 20 dB 之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为 4020 ~ 17100 K。
中文关键词:四次谐波混频器  低本振功率  肖特基二极管  太赫兹频段  宽带
 
A wideband terahertz planar Schottky diode fourth-harmonic mixer with low LO power requirement
Abstract:A wideband terahertz fourth-harmonic mixer with low local oscillator (LO) power requirement based on anti-parallel planar Schottky diodes is proposed. In order to realize best performances of the mixer, the relations between the parasitic elements of Schottky diodes and the mixer’s performances are analyzed. The main parameters of Schottky diodes are optimized to reduce the optimum LO power of the fourth-harmonic mixer. Measured results show that the conversion loss of the proposed mixer based on specialized diodes is 14.2 ~ 20 dB within a wide band from 340 to 490 GHz with optimal LO power of 7 mW, while the noise temperature is 4020~ 17100 K in this frequency range.
keywords:Fourth-harmonic mixer  low local oscillator power  Schottky diode  terahertz band  wideband
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