室温350~850nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析
投稿时间:2019-11-01  修订日期:2020-05-11  点此下载全文
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作者单位
王仍 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
焦翠灵 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
陆液 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
霍勤 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
乔辉 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
李向阳 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 
基金项目:国家重点研发计划项目 2016YFB0500600国家重点研发计划项目(项目编号:2016YFB0500600)
中文摘要:室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850nm的无损全光阴极荧光图谱检测,分析了晶体内部缺陷及夹杂情况,室温下测得ZnSe晶体在400~550nm的阴极荧光光谱,阴极荧光光谱测得462nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462nm的本征发光峰和453nm的缺陷发光峰,结合能谱分析,ZnSe晶体表面缺陷处的Zn:Se比约为6:4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。
中文关键词:ZnSe晶体  阴极荧光光谱(CL)  Zn夹杂
 
Cathodoluminescence(CL) Analysis of ZnSe Crystal from 350 nm to 850nm at room temperature
Abstract:As-received ZnSe crystal has been examined by cathodoluminescence spectroscopy ranging from 350nm to 850nm at room temperature for internal defects and inclusions. Two cathodoluminescence peaks of 462nm and 453nm were detected, of which the former was identified as intrinsic cathodoluminescence of ZnSe and the latter was caused by the crystal defect. The Zn:Se ratio of 6:4 was found by energy dispersive x-ray spectroscopy(EDS), and the extrinsic cathodoluminescence peak of 453nm was attributed to additional Zn in excess of ZnSe stoichiometry.
keywords:ZnSe crystal  Cathodoluminescence (CL)  Zn inclusion
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