碲镉汞雪崩焦平面器件
投稿时间:2019-01-09  修订日期:2019-02-20  点此下载全文
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李浩 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 lihaoxzy@163.com 
林春 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 chun_lin@mail.sitp.ac.cn 
周松敏 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
郭慧君 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
王溪 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
陈洪雷 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
魏彦锋 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
陈路 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
丁瑞军 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
何力 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室  
中文摘要:碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第三代红外光电探测器的重要发展方向之一。本文制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为1616。焦平面器件在0-6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%。6V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2。
中文关键词:碲镉汞,雪崩光电二极管,焦平面,噪声等效光子数,过剩噪声因子
 
HgCdTe avalanche photodiode FPA
Abstract:HgCdTe APD is one of the developing trends of third generation inferred FPA detectors. In this paper we report the result on a 1616 arrays of HgCdTe avalanche photodiode with 3.56μm cutoff wavelength. The operability in gain exceeds 90% and relative gain dispersion is lower than 20%. NEPh is about 60 at 6V bias with excess noise factor close to 1.2.
keywords:HgCdTe, APD, FPA, NEPh, excess  noise factor.
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