厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜
投稿时间:2018-03-18  修订日期:2018-04-09  点此下载全文
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张天宁 中国科学院上海技术物理研究所 tnzhang@mail.sitp.ac.cn 
王书霞 中国科学院上海技术物理研究所  
黄田田 中国科学院上海技术物理研究所  
魏 威 中国科学院上海技术物理研究所  
陈 鑫 中国科学院上海技术物理研究所 xinchen@mail.sitp.ac.cn 
戴 宁 中国科学院上海技术物理研究所  
中文摘要:利用原子层沉积方法制备V2O5纳米片晶薄膜。薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V2O5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有重要影响。原子层沉积过程中V2O5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用。
中文关键词:原子层沉积,五氧化二钒,薄膜
 
Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Films of Vanadium Pentoxide Crystalline Nanoflakes with Controllable Thickness and Optical Band-gap
Abstract:Thin films of crystalline V2O5 nanoflakes were prepared through atomic layer deposition (ALD) process. The film thickness was verified to play a critical role in determining structural morphology, optical bandgap and Raman vibration of crystalline V2O5 thin films. Two optical bandgaps observed at about 2.8 eV and 2.4 eV result from two growth stages during ALD preparation. We expect that these results help to understand the growth control of ultrathin films and their functional devices.
keywords:atomic  layer deposition, vanadium  pentoxide, thin  films.
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