(英)基于肖特基二极管的太赫兹准光探测器设计方法与成像性能研究
投稿时间:2018-03-16  修订日期:2018-04-04  点此下载全文
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李明迅 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波太赫兹北京市重点实验室 lmxxbit@163.com 
牟进超 航天长征火箭技术有限公司 moujinchao@live.com 
郭大路 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波太赫兹北京市重点实验室  
乔海东 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波太赫兹北京市重点实验室  
马朝辉 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波太赫兹北京市重点实验室  
吕昕 北京理工大学 信息与电子学院 毫米波太赫兹北京市重点实验室  
基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
中文摘要:设计了一款太赫兹准光探测器,该探测器主要由砷化镓肖特基二极管芯片以及高阻硅透镜组成。为了减小所设计芯片的欧姆损耗,将天线图案生长在了半绝缘砷化镓层上。在335-350 GHz频率范围内,准光探测器的实测响应率为1360-1650 V/W,双边带变频损耗为10.6-12.5 dB。对应估算的等效噪声功率为1.65-2 pW/Hz1/2。基于所设计的准光探测器进行了成像实验,该实验分别在直接检波和外差探测两种模式间进行,成像结果表明所设计的太赫兹准光探测器能够满足太赫兹成像方面应用。
中文关键词:太赫兹准光探测器  直接检波  外差探测  太赫兹成像
 
Design and imaging demonstrations of a terahertz quasi-optical Schottky diode detector
Abstract:A terahertz quasi-optical detector has been presented, which is mainly composed of a GaAs antenna-coupled Schottky diode chip and a highly resistive silicon lens. In order to reduce the ohmic loss, the standard terahertz Schottky diode fabrication process has been improved by forming the antenna patterns on the S.I. GaAs layer. Experimental responsivity and DSB conversion loss of the quasi-optical detector are 1360-1650 V/W and 10.6-12.5 dB at 335-350 GHz range, respectively. The noise equivalent power (NEP) is estimated to be 1.65-2 pW/Hz1/2. Imaging experiments based on this quasi-optical detector have been carried out in both direct- and heterodyne-detection modes, successfully demonstrating its potential in terahertz imaging applications.
keywords:terahertz quasi-optical detector, direct detection, heterodyne detection, terahertz imaging
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