(英)短波红外InGaAs线性焦平面数字化输出研究
投稿时间:2017-10-10  修订日期:2018-01-02  点此下载全文
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魏杨 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院大学
上海科技大学 
weiy@mail.sitp.ac.cn 
王绪泉 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 
 
黄张成. 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 
 
黄松垒 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 
huangsl@mail.sitp.ac.cn 
方家熊 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 
 
基金项目:国家科技攻关计划,国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
中文摘要:一种适用于短波红外铟镓砷线性焦平面的数字化输出研究。针对实验室自主研制出的短波红外256×1铟镓砷焦平面,结合SAR ADC的基本原理,以高分辨率、低功耗、小面积为设计原则,设计一款逐次逼近(SAR)模数转换器。ADC采用0.18μm CMOS工艺流片,采用3.3V电压供电,采样率235KS/s,功耗460μW,信噪比66.6dB。将ADC芯片与256×1铟镓砷焦平面在变积分时间条件下进行耦合测试。结果表明ADC芯片可以满足短波红外线列256×1铟镓砷焦平面的应用需求。
中文关键词:模数转化器、线列256×1铟镓砷焦平面、短波红外、逐次逼近
 
Study on Digital Output for Short-Wave Infrared InGaAs Linear FPA
Abstract:A specific digital output research on short-wave infrared InGaAs linear Focal Plane Array (FPA) was reported. Coupled with a laboratory self-designed short-wave infrared 256×1 InGaAs FPA, a Successive Approximation Register (SAR) Analog to Digital Convertor (ADC) with high resolution, low power consumption and small size was designed and fabricated by 0.18μm CMOS process. The chip consumes 460μW at a sampling rate of 235 KS/s with the power supply of 3.3V. The Signal to Noise Ratio (SNR) of ADC chip is 66.6dB. The ADC chip was also tested at different integral time to convert the 256x1 InGaAs FPA signal. The results show that the ADC chip can meet the application requirements of the 256×1 InGaAs FPA.
keywords:ADC, 256×1 InGaAs  FPA, short-wave  infrared, SAR.
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