(英)高功率单高阶模倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器
投稿时间:2017-09-21  修订日期:2017-10-31  点此下载全文
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王霞 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 750239260@qq.com 
郝永芹 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 hyq72081220@aliyun.com 
晏长岭 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室  
王作斌 长春理工大学科技部国家纳米操 纵与制造国际联合研究中心  
王志伟 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室  
谢检来 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室  
马晓辉 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室  
姜会林 长春理工大学空间光电技术研究所  
基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目);国家总装预研基金;国家“111”工程基金
中文摘要:提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器。该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射。在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达 9.8 mW, 边模抑制比将近 30dB。在外界为 360K 高温时,输出功率仍可达 4 mW。 且其远场模式表现出的高斯光束发散角较小。
中文关键词:半导体激光器  垂直腔面发射激光器  单高阶模  高温  倒置表面浮雕
 
High power single-higher-mode VCSEL with inverted surface relief
Abstract:An inverted surface relief vertical-cavity surface-emitting laser (ISR-VCSEL) with annular light emitting window have been presented and investigated. The most prominent structural feature of the device is that stable singlehigher-order transverse mode emission is supported. The laser shows high power of 9.8mW at about six times threshold current with a SMSR close to 30dB, and it achieves power of 4 mW even at high ambient temperature of 360K.The measured far field pattern shows a Gaussian-shaped beam profile with low divergence.
keywords:semiconductor laser, VCSEL, single-higher-mode, high-temperature, inverted surface relief
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