基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
投稿时间:2020-10-22  修订日期:2021-09-04  点此下载全文
引用本文:牛斌,钱骏,范道雨,王元庆,梅亮,戴俊杰,林罡,周明,陈堂胜.基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器[J].红外与毫米波学报,2021,40(5):634~637].Niu Bin,Qian Jun,Fan Daoyu,Wang Yuanqing,Mei Liang,Dai Junjie,Zhou Ming,Chen Tangsheng.664 GHz sub harmonic mixer based on “T” anode GaAs SBD membrane circuit[J].J.Infrared Millim.Waves,2021,40(5):634~637.]
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牛斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏 南京 210016 
niubin_1@126.com 
钱骏 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京安太芯电子有限公司江苏 南京 210016 
 
范道雨 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016  
王元庆 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京安太芯电子有限公司江苏 南京 210016 
 
梅亮 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京安太芯电子有限公司江苏 南京 210016 
 
戴俊杰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京安太芯电子有限公司江苏 南京 210016 
 
林罡 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏 南京 210016 
 
周明 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016  
陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏 南京 210016
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏 南京 210016 
 
中文摘要:报道了用于冰云探测的基于0.5 μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5 μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到 9.9 dB。
中文关键词:砷化镓肖特基二极管  薄膜电路  次谐波混频器
 
664 GHz sub harmonic mixer based on “T” anode GaAs SBD membrane circuit
Abstract:664 GHz sub harmonic mixer for ice cloud detection was designed and fabricated, based on 0.5 μm “T” anode GaAs SBD membrane integrated process with thickness of 5 μm. Parasitic parameters of “T” anode design were analyzed and membrane process was developed to improve high frequency performance. The mixer was characterized in 664 GHz receiver setup. Double side band conversion loss of the mixer was 9.9 dB at 664 GHz room temperature.
keywords:GaAs SBD  membrane circuit  sub harmonic mixer
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《红外与毫米波学报》编辑部