一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)
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TN322.8

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国家重点基础研究发展规划(973计划)?


HIGH CURRENT,MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f_t OF 176GHz
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    针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110wA,电流增益截止频率达到176GI-Iz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.

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引用本文

金智,程伟,刘新宇,徐安怀,齐鸣.一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J].红外与毫米波学报,2009,28(2):]. JIN Zhi, CHENG Wei, LIU Xin-Yu, XU An-Huai, QI Ming. HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f_t OF 176GHz[J]. J. Infrared Millim. Waves,2009,28(2).]

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