TN386.1
预先研究项目 ?
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数提取后的Ⅰ-Ⅴ特性曲线与实测曲线十分吻合.最后,运用此模型对CMOS传输门和两级运算放大器进行仿真,结果表明LDD串联电阻效应对这些电路产生了重要影响,该模型明显提高了低温BSIM3v3的仿真精度.
刘文永,丁瑞军,冯琪.35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型[J].红外与毫米波学报,2008,27(6):]. LIU Wen-Yong, DING Rui-Jun, FENG Qi. SPICE MODEL FOR LDD STRUCTURE CMOS DEVICE AT 35K[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(6).]