化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究
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O484.441

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国家重点基础研究发展规划(973计划) , 国家自然科学基金 , 上海科技启明星计划 ?


INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPOSIMETRY AND CRYSTALLIZATION OF MANGANESE COBALT NICKELATE FILMS PREPARED BY CHEMICAL DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE
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    使用化学沉积方法,在600℃温度下,成功制备锰钴镍(MnxCoyNi3-x-y)O4(MCN)薄膜.传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050~1200℃,与这一温度相比,本文的方法使合成温度降低了许多.随着退火后处理温度从600℃升高到900℃,MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm.同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数.

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引用本文

葛玉建,黄志明,侯云,覃剑欢,李天信,褚君浩.化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究[J].红外与毫米波学报,2008,27(6):]. GE Yu-Jian, HUANG Zhi-Ming, HOU Yun, QIN Jian-Huan, LI Tian-Xin, CHU Jun-Hao. INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPOSIMETRY AND CRYSTALLIZATION OF MANGANESE COBALT NICKELATE FILMS PREPARED BY CHEMICAL DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(6).]

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