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256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像
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TN21

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国家自然科学基金


256 ELEMENT InGaAs LINEAR IR FOCAL PLANE ARRAY AND SCANNING IMAGE
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    摘要:

    报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.

    Abstract:

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引用本文

吕衍秋,韩冰,白云,徐萌,唐恒敬,孔令才,李雪,张永刚,龚海梅.256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像[J].红外与毫米波学报,2008,27(1):7~11]. LV Yan-Qiu, HAN Bing, BAI Yun, XU Meng, TANG Heng-Jing, KONG Ling-Cai, LI Xue, ZHANG Yong-Gang, GONG Hai-Mei.256 ELEMENT InGaAs LINEAR IR FOCAL PLANE ARRAY AND SCANNING IMAGE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2008,27(1):7~11.]

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  • 收稿日期:2007-03-13
  • 最后修改日期:2007-12-18
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