TN21
国家自然科学基金重点资助项目（50632060）;国防预研项目
报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
吕衍秋,徐运华,韩冰,孔令才,亢勇,庄春泉,吴小利,张永刚,龚海梅.128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究[J].红外与毫米波学报,2006,25(5):333~337]. LV Yan-Qiu~.[J]. J. Infrared Millim. Waves,2006,25(5):333~337.]