从理论与实验两方面对截止波长为1．7μm（x=0．53），1．9μm（x=0．6）和2．2μm（x=0．7）pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究．对探测器暗电流的研究结果表明，扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区，欧姆电流占据主导地位；在反向偏置高压区，缺陷隧穿电流占主导地位；且扩展波长In0.6Ga0．3As，In0．7，Ga0.3As探测器的暗电流比In0．53Ga0．47As探测器增加较大，对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明，在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高，i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善。