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亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究
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TN302 TN386.1

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国家重点基础研究发展规划973（2001CB61040）、国家自然科学基金（60476040,60576068）、国家自然科学基金重点项目（60221502）和上海科学技术委员会重大基金（05DJ14003）资助项目


STUDY ON QUANTUM AND SHORT-CHANNEL EFFECTS FOR SUB-50nm FINFETS
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    摘要:

    采用有限元法自洽求解泊松一薛定谔方程，数值模拟了一种新型的亚50nmN沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性，系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律．比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和DIBL效应以及沟道跨道，获得了最佳硅鳍宽度（Tfin）和栅极长度（Lg）参数．模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较，表明由于电子束缚效应对器件性能的影响，考虑量子效应对FinFET器件的性能优化尤其重要。

    Abstract:

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引用本文

胡伟达 陈效双 全知觉 周旭昌 陆卫.亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究[J].红外与毫米波学报,2006,25(2):90~94]. HU Wei-Da, CHEN Xiao-Shuang, QUAN Zhi-Jue, ZHOU Xu-Chang, LU Wei. STUDY ON QUANTUM AND SHORT-CHANNEL EFFECTS FOR SUB-50nm FINFETS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2006,25(2):90~94.]

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  • 收稿日期:2005-04-24
  • 最后修改日期:2005-09-08
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