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GaAlAs血红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响
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中图分类号:

TN386.1

基金项目:

国家自然科学基金（60276028）,国防预研基金（51411040601DZ014）,国防科技重点实验室基金（51433030103DZ01）


EFFECTS OF POWER AGING ON 1/f NOISE CHARACTERISTICS FOR GaAIAs IR LED
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    在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题。对GaAlAs红外发光二极管（IRLED）功率老化前后低频噪声的测量发现，1／f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比（小电流区γ≈1，在大电流区γ≈2），且老化后1／f噪声幅值比老化前增大2个数量级。基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1／f噪声模型，分析结果表明GaAlAs IR LED的1／f噪声在小电流时反映体陷阱特征，大电流时反映激活区陷阱特征，l／f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱，1／f噪声可以用来检测GaAlAs IR LEDs的潜在缺陷/

    Abstract:

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引用本文

包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 李聪. GaAlAs血红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响[J].红外与毫米波学报,2006,25(1):33~36]. BAO Jun-Lin, ZHUANG Yi-Qi, DU Lei, MA Zhong-Fa, LI Wei-Hua, LI Cong. EFFECTS OF POWER AGING ON 1/f NOISE CHARACTERISTICS FOR GaAIAs IR LED[J]. J. Infrared Millim. Waves,2006,25(1):33~36.]

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  • 收稿日期:2005-03-30
  • 最后修改日期:2005-10-13
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