+高级检索
首页 > 过刊浏览>2006年第25卷第1期 >6-9
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN2

基金项目:

国家“973”项目基金（G20000683）国家“863”项目基金（2002AA313040）.


FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室温下的截止波长分别约为1．9μm，2，2μm．和2．5μm．对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征，结果表明在室温下其R0A乘积分别为765，10．3和12．7Ωcm^2，比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级．瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作，实测响应速度已达数十ps量级．

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张永刚 顾溢 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东.短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制[J].红外与毫米波学报,2006,25(1):6~9]. ZHANG Yong-Gang, GU Yi, ZHU Cheng, HAO Guo-Qiang, LI Ai-Zhen, LIU Tian-Dong. FABRICATION OF SHORT WAVELENGTH INFRARED InCcaAs/InP PHOTOVOLTAIC DETECTOR SERIES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2006,25(1):6~9.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2005-04-15
  • 最后修改日期:2005-10-16
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
您是第 位访问者
主管单位：中国科学院
主办单位：中国科学院上海技术物理研究所，中国光学学会
地址：上海市玉田路500号 电话：021-25051553
红外与毫米波学报 ® 2024 版权所有