基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计
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TN4 TN215

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INFRARED MICROBOLOMETER OF LATERAL POLYSILICON p + p- n + JUNCTION BASED ON STANDARD CMOS PROCESSES
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    基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明在室温(284~253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3~5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm.Hz1/2.W-1.

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引用本文

陈二柱 梁平治.基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计[J].红外与毫米波学报,2005,24(3):227~230]. CHEN Er-Zhu, LIANG Ping-Zhi. INFRARED MICROBOLOMETER OF LATERAL POLYSILICON p + p- n + JUNCTION BASED ON STANDARD CMOS PROCESSES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(3):227~230.]

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  • 最后修改日期:2004-06-30
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