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首页 > 过刊浏览>2005年第24卷第3期 >185-188
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GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性
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中图分类号:

O471.3 O472.3

基金项目:

国家自然科学基金(10274081,10334040)，江苏省自然科学基金(BK2004403).


OPTICAL PROPERTIES AND EXCITON LOCALIZATION IN GaNAs/GaAs
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    摘要:

    通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性．在超短激光脉冲激发下，第一次在GaNAs／GaAs量子阱发光光谱中，观察到非局域激子发光．选择激发光谱表明，局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面．在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中，除了与N相关的局域态发光外，也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光．这些结果为理解Ⅲ-Ⅴ-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义．

    Abstract:

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    引证文献
引用本文

罗向东 徐仲英 谭平恒 GEWei-Kun. GaNAs／GaAs中的激子局域化和发光特性[J].红外与毫米波学报,2005,24(3):185~188]. LUO Xiang-Dong, XU Zhong-Ying, TAN Ping-Heng, GE Wei-Kun . OPTICAL PROPERTIES AND EXCITON LOCALIZATION IN GaNAs/GaAs[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(3):185~188.]

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  • 最后修改日期:2004-10-20
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