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首页 > 过刊浏览>2005年第24卷第1期 >7-10
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As在HgCdTe外延层中的扩散系数
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TN304 TN215

基金项目:

中国科学院知识创新工程资助项目(KGCX2 SWJG 06)


DIFFUSION COEFFICIENT OF As IN HgCdTe EPILAYERS
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    摘要:

    使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子柬外延样品中的扩散系数．获得了在240℃．380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数，并发现它与退火过程中Hg的分压有关，且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用．研究表明在低温段的240℃／24—48小时的退火中As的扩散非常有限，对样品中As的浓度分布影响不大，而在高温段380℃／16小时和440℃／30分钟退火中，As扩散较为明显，能使原来的PN突变结变缓．综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素，高温段440℃／30分钟的退火条件较理想．

    Abstract:

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    引证文献
引用本文

徐非凡 吴俊 巫艳 陈路 于梅芳 何力. As在HgCdTe外延层中的扩散系数[J].红外与毫米波学报,2005,24(1):7~10]. Xu Fei-Fan, WU Jun, WU Yan, CHEN Lu, YU Mei-Fang, HE Li. DIFFUSION COEFFICIENT OF As IN HgCdTe EPILAYERS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2005,24(1):7~10.]

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