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首页 > 过刊浏览>2004年第23卷第4期 >317-320
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隧道穿透对Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率的影响模拟
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中图分类号:

O484.42

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国家自然科学基金资助项目 ( 10 175 0 2 7，60 2 770 19)


IFLUENCE OF GRAIN BOUNDARY TUNNELING ON THE RESISTIVITY OF THE VO_2 FILMS PREPARED BY SOL-GEL METHOD
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    在多晶薄膜晶粒一晶界两相结构模型的基础上，考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿机制，在10℃-100℃的温度范围内，模拟了Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率随温度的变化，模拟结果与实验结果有较好的吻合．模拟结果显示，二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化，并使薄膜在金属相时呈现负的温度系数．

    Abstract:

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引用本文

袁宁一 李金华 李格.隧道穿透对Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率的影响模拟[J].红外与毫米波学报,2004,23(4):317~320]. YUAN Ning-Yi, LI Jin-Hua, LI Ge . IFLUENCE OF GRAIN BOUNDARY TUNNELING ON THE RESISTIVITY OF THE VO_2 FILMS PREPARED BY SOL-GEL METHOD[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(4):317~320.]

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  • 最后修改日期:2003-04-28
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