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首页 > 过刊浏览>2004年第23卷第3期 >205-207
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光子存储单元的光伏效应
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中图分类号:

TP333.4

基金项目:

国家重点基础研究计划 (G0 0 1CB3 0 95 )，国家高技术发展研究计划资助项目 ( 2 0 0 2AA3 0 2 10 4)


PHOTOVOLTAIC EFFECT IN A PHOTON STORAGE CELL
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    摘要:

    报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应．当单元偏置在光存储模式下，越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃．利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应，验证了“开→关”光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程．其时间常数是光存储时间的一种度量，而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映．

    Abstract:

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    引证文献
引用本文

卞松保 李桂荣 唐艳 胡冰 李月霞 杨富华 郑厚植.光子存储单元的光伏效应[J].红外与毫米波学报,2004,23(3):205~207]. BIAN Song-Bao, LI Gui-Rong, TANG Yan, HU Bing, LI Yue-Xia, YANG Fu-Hua, ZHENG Hou-Zhi. PHOTOVOLTAIC EFFECT IN A PHOTON STORAGE CELL[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(3):205~207.]

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  • 最后修改日期:2003-05-20
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