O484.1
国家重大基础研究项目(973)国防预研项目(41308060106)
对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN：Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现：两种样品均处于张力作用之下，但是GaN：Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度，致使薄膜质量变差；其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大，所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力，从而使薄膜张力减小，最后通过计算说明对于GaN：Mg样品而言，除了载流子以外，薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响．
冯倩 王峰祥 郝跃. MOCVD生长GaN和GaN：Mg薄膜的对比研究[J].红外与毫米波学报,2004,23(3):201~204]. COMPARATIVE ANALYSIS OF CHARACTERISTICS OF GaN AND GaN: Mg FILMS GROWN BY MOCVD[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(3):201~204.]