利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究
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O484.1 O484.41

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国家“8 63”高技术 .新材料领域 (2 0 0 1AA3 1112 ),国家自然科学重点基金(60 3 3 60 2 0 ),国家自然科学基金资助项目(60 1760 0 3,60 2 780 31,60 3 760 0 9),中国科学院二期创新资助项目


STUDY ON GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATE BY PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY(P-MBE)
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    在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350~750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81~300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射.

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引用本文

颜建锋 梁红伟 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武.利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究[J].红外与毫米波学报,2004,23(2):103~106]. YAN Jian Feng, LIANG Hong Wei, LU You Ming, LIU Yi Chun LI Bing Hui, SHEN De Zhen, ZHANG Ji Ying, FAN Xi Wu . STUDY ON GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATE BY PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY(P-MBE)[J]. J. Infrared Millim. Waves,2004,23(2):103~106.]

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  • 最后修改日期:2003-01-13
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