采用射频磁控溅射和组合靶在260℃的(111)Si上制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜．通过拟合2～12．5μm波长范围的反射和透射光谱，得出了薄膜在此区间的折射率和消光系数．薄膜的折射率随波长的增长均呈现单调增大的变化趋势，并且随组分的变化，此趋势没有大的变化．而消光系数的邑散却对薄膜的组分具有很大的依赖性．实验结果同时表明，在La含量较高时，薄膜为无定型结构，并且具有较大的电阻率．当Ni、La含量比大于1：1．44后，薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构，同时具有金属导电性．薄膜的晶面间距、电导率、折射率和消光系数随着Ni含量的增加具有相似的变化规律．并在Ni:La=1:1时，晶面问距和电阻率达到最小值．对所有实验现象，文中从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了理论分析，并取得了比较一致 的结果．