根据红外透过率推断CdZnTe晶片的性能
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TN304.26 TN219

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国家自然科学基金 (批准号 5 9982 0 0 6),国家杰出青年基金 (批准号 5 982 5 10 9)资助项目~~


DEDUCING THE PROPERTIES OF CdZnTe WAFERS BY IR TRANSMISSION
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    摘要:

    采用傅里叶变换红外光谱仪测试了性能各异的多个CdZnTe晶片的红外透过率.研究表明,红外透过率的大小可以定性反映CdZnTe晶片的性能:红外透过率越高的晶片,其成分偏离越小,位错密度越低,电阻率越高.根据红外透过率大小随着波数的变化,红外透过率图谱可以分为4种,每一种图谱对应着具有不同性能的CdZnTe晶片,从晶片对红外光的吸收机理出发,对实验结果进行了初步分析。

    Abstract:

    Several Cd 0.9 Zn 0.1 Te wafers with different properties are characterized by FTIR transmission. It is found that the IR transmission can be used qualitatively to deduce the quality of the Cd 0.9 Zn 0.1 Te wafers. The wafers with higher transmission have homogenized concentration distribution, lower dislocation density, and higher resistivity. According to the variation of IR transmission with wavenumber, IR transmission spectra can be classified into four types with different qualities. These results are initially analyzed based on the mechanism of Cd 0.9 Zn 0.1 Te IR absorption.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

李国强 介万奇 华慧.根据红外透过率推断CdZnTe晶片的性能[J].红外与毫米波学报,2003,22(6):469~472]. LI Guo-Qiang JIE Wan-Qi HUA Hui. DEDUCING THE PROPERTIES OF CdZnTe WAFERS BY IR TRANSMISSION[J]. J. Infrared Millim. Waves,2003,22(6):469~472.]

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  • 最后修改日期:2002-12-02
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