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NONDESTRUCTIVE BAND—GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe LPE CROWN LAYERS
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TN304.26 TN21

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NONDESTRUCTIVE BAND-GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe LPE GROWN LAYERS
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    ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＭｏｓｔｏｆｍｏｄｅｒｎＨｇ1-ｘＣｄｘＴｅｔｅｒｎａｒｙｃｏｍｐｏｕｎｄＩＲｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｒｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｄｆｒｏｍＬＰＥｆｉｌｍｓｇｒｏｗｎｏｎＣｄＴｅａｎｄＣｄＺｎＴｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ[1～ 4 ] .Ｃｏｍｐｏ ｓｉｔｉｏｎａｌｄｅｐｔｈｎｏｎｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｓｅｅｍｓｔｏｂｅａｎｉｎｈｅｒｅｎｔｆｅａｔｕｒｅｏｆｔｈｅｓｅｆｉｌｍｓ[5,6 ] .Ｉｔｃａｕｓｅｓｔｈｅｖａｒｉａｔｉｏｎｓｏｆｂａｎｄ ｇａｐｗｉｔｈｔｈｅｄｅｐｔｈ ,ｔｈｕｓａｆｆ…

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引用本文

Z. F. Ivasiv F. F. Sizov 等. NONDESTRUCTIVE BAND—GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe LPE CROWN LAYERS[J].红外与毫米波学报,2002,21(2):81~86]. Z. F. Ivasiv F. F. Sizov V. V. Tetyorkin E. V. Andreeva. NONDESTRUCTIVE BAND-GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe LPE GROWN LAYERS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(2):81~86.]

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  • 最后修改日期:2001-01-08
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