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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究
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中图分类号:

O484.1 O484.5

基金项目:

国家自然科学基金(批准号69425002)和国家863(批准号863-307-16-10)资助项目


DISLOCATION DENSITY OF MBE GROWN Hg1-xCdxTe ON ZnCdTe SUBSTRATES
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    摘要:

    报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到4.2×105cm-2,标准差为3.5×105cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%,可满足高性能Hg1-xCdxTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.

    Abstract:

    参考文献
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    引证文献
引用本文

巫艳 于梅芳 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力.采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究[J].红外与毫米波学报,2002,21(1):23~27]. WU Yan YU Mei-Fang CHEN Lu QIAO Yi-Min YANG Jian-Rong HE Li. DISLOCATION DENSITY OF MBE GROWN Hg1-xCdxTe ON ZnCdTe SUBSTRATES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2002,21(1):23~27.]

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  • 最后修改日期:2001-01-05
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