O484.1
国家自然科学基金 (编号 6 942 5 0 0 2 )~~
采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，借助SEM分析了不同缺陷的成核机制，确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关，获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2，筛选合格率为65％。
陈路 巫艳 等.分子束外延HgCdTe表面缺陷研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(6):406~410]. CHEN Lu WU Yan YU Mei Fang WANG Shan Li QIAO Yi Min HE Li. SURFACE DEFECTS ON MBE GROWN HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(6):406~410.]