+高级检索
首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第5期 >343-346
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304.22

基金项目:

中国科学院资助项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)，69736010,19974045，，，


STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    用简并激发－探测技术研究了７７Ｋ温度下ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中载流子快速俘获和驰豫过程，在瞬态反射谱测量中，降观察到与ＧａＡｓ有关的驰豫过程外（时间常数约为１ｐｓ），还观察到一个时间常数为几个至２０ｐｓ的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被ＩｎＡｓ层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李晴 葛惟昆. InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):343~346]. LI Qing, XU Zhong-Ying, GE Wei-Kun. STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(5):343~346.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
您是第 位访问者
主管单位：中国科学院
主办单位：中国科学院上海技术物理研究所，中国光学学会
地址：上海市玉田路500号 电话：021-25051553
红外与毫米波学报 ® 2024 版权所有