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首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第4期 >281-284
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砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析
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TN213 TN304.26

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SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED ARSENIC DISTRIBUTION IN BULK HgCdTe
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    用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况，砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中，砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型，呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中，砷的分布呈多段指数型分布，表面出更复杂的多机制扩散特性。

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引用本文

赵军 陆慧庆.砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析[J].红外与毫米波学报,2000,19(4):281~284]. ZHAO Jun, LU Hui-Qing, LI Xiang-Yang, FANG Jia-Xiong. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED ARSENIC DISTRIBUTION IN BULK HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(4):281~284.]

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