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GexC1—x薄膜在红外增透保护模系设计和制备中的应用
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TN213

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航空基金，93G53120，


APPLICATION OF GexC1-xFILMS TO DESIGN AND DEPOSITION OF INFRARED ANTIREFLECTION AND PROTECTION FILMS
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    用磁控反应溅射（ＲＳ）法制备出ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，它的折射率可在１．６～４．０之间变化，设计出没厚度的ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增透膜 非均匀增透膜系，并在ＺｎＳ基片上制备出ＧｅｘＣ１－ｘ均匀增膜系，设计结果表明，均匀膜系实现某－波段范围内增透，非均匀膜系能实现宽波段增透；当厚度增加时，均匀增透膜系的透过率曲线变得急剧振荡，非均匀膜系的透过率曲线变得更为平滑，且向长波段扩展，实现结果表明，在８～１１．５μ

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引用本文

宋建全 刘正常. GexC1—x薄膜在红外增透保护模系设计和制备中的应用[J].红外与毫米波学报,2000,19(4):266~268]. SONG Jian-Quan, LIU Zheng-Tang, YU Zhong-Qi, GENG Dong-Sheng, ZHENG Xiu-Lin. APPLICATION OF GexC1-xFILMS TO DESIGN AND DEPOSITION OF INFRARED ANTIREFLECTION AND PROTECTION FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(4):266~268.]

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