TN304.23 O484.1
中国科学院资助项目，69425002，
用液相外延的方法在ＣｄＺｎＴｅ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料，获得了表面形貌好，位错密度低，组份均匀的碲匐汞外延材料，生长工艺对材料的参数控制有较好重复性，外延材料经热处理后，材料的Ｐ型和Ｎ型电学参数都达到较好的水平，并具有良好的可重复性。
黄根生 陈新强.碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能[J].红外与毫米波学报,2000,19(2):145~148]. HUANG Gen-Sheng, CHEN Xin-Qiang, YANG Jian-Rong, HE Li. GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LIQUID-PHASE EPITAXIAL Hg 1-xCdxTe FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(2):145~148.]