+高级检索
首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第2期 >81-87
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

the KBN(Poland) under contract，波兰KBN资助项目，PBZ 28.11/P6，PBZ 28.11/P6，，


Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    Abstract:

    In this paper standard techniques for characterization of HgCdTe liquid phase epitaxial layers (LPE) were presented. The performance of long wavelength p-on-n HgCdTe photodiodes fabricated by arsenic diffusion was described. The correlation between LPE HgCdTe material parameters and properties of the infrared photodiodes was demonstrated.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

WENUS Jakub, MADEJCZYK Pawel, RUTKOWSKI Jaroslaw. Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology[J].红外与毫米波学报,2000,19(2):81~87]. WENUS Jakub, MADEJCZYK Pawel, RUTKOWSKI Jaroslaw. Comparison of characterization techniques in p-on-n HgCdTe LWIR photodiodes technology[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(2):81~87.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
您是第 位访问者
主管单位：中国科学院
主办单位：中国科学院上海技术物理研究所，中国光学学会
地址：上海市玉田路500号 电话：021-25051553
红外与毫米波学报 ® 2024 版权所有